Intel 34nm固态硬盘拆解对比评测

    装有控制器的正面大同小异，但X25-M G1在闪存芯片和控制器周围使用的黑胶状物体也不见了，但还不清楚这东西的具体用途，可能是一种保护措施，也可能是辅助散热手段。

旧

新

    X25-M G2使用了新控制器，编号从“PC29AS21AA0”改为“PC29AS21BA0”，不过物理封装没有任何变化。

旧

新

    板载缓存变化不小，之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3)，现在则改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪，容量上去了，速度却下来了。

旧

新

    控制器是固态硬盘的核心部件，但Intel的一直都是只为自己所用，不像三星、Indilinx那样授权卖给其他厂商。以下就是市面上常见的一些固态硬盘和控制器：

    衡量固态硬盘性能的指标一般有四个，随机读取、随机写入、持续读取和持续写入，其中前两项表现在大量小文件(比如4KB)的处理上，后两项则对应大文件处理(比如蓝光电影)。一块优秀的固态硬盘必须在这四方面都表现不俗，但事实上很难，大多都是只有部分指标很好，

    本次测试使用的工具是IOMeter，并争取不放过硬盘上的每一个LBA和Page。

    持续读取速度：应该是受制于SATA 3Gbps，X25-M G2/G1在这方面表现基本没有差别，看来只能期待SATA 6Gbps尽快普及了。

    持续写入速度：这个一直是MLC NAND闪存型的X25-M和(X18-M)系列的软肋，新款提升了7％，但仍远远落后于其他固态硬盘，即使相比西部数据VelociRaptor 300GB也相差甚远。

    不过另一方面，SLC NAND闪存型的企业级X25-E 64GB的成绩是最好的。

    随机读取速度：Intel固态硬盘在应付小文件随机读写方面得心应手，此番有了10％的提升后，X25-M G2已经超过了X25-E，以58.5MB/s高居第一。对比其他厂商的MLC型固态硬盘，X25-M G2最少也能领先50％。

    传统机械硬盘在这个问题上就完全拿不出手了，即使西数VelociRaptor 300GB也只有可怜兮兮的0.68MB/s，相当于X25-M G2的一个零头。

    随机读取延迟：和随机读取速度是一脉相承的，X25-M G2再次跃升第一，只有0.2ms，而西数硬盘高达17.3ms，不得不从图表中移除。

    随机写入延迟：X25-M G2大幅提升了将近40％，再次超过X25-E，而基于三星或Indilinx控制器的其他固态硬盘完全被甩开。

小结：

    第一代50nm X25-M发布之初就给我们留下了深刻的印象，成为固态硬盘领域的一个标杆，现在升级到34nm之后更是有了近乎全面的提升(0-40％)，拉大了与同类产品的距离。唯一遗憾的就是持续写入性能依然太弱，连机械硬盘都赶不上。

    当然这里只是理论性能测试，实际应用中根据环境不同估计提升幅度会在0-10％。