三星公司预计下半年上市DDR3 30nm内存

  • 来源: 驱动中国 作者: 老苏   2010-02-02/20:46

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          在多年以前,三星公司就展示30nm 等级的 NAND 芯片,不过这项技术直到最近才算真正落实到量产的产品上头。继上个月所发表的 30nm 64GB moviNAND 及 32GB microSD 卡之后,紧接着发布的则是 2Gb 的 DDR3 DRAM 模块。和 50nm 制程相比,新制程不仅可以降低生产成本,耗电量也降低 30% 之多。 DDR3 内存预定于今年下半年正式上市。估计会内存市场带来巨大的变革。

          并以此各种低功耗内存条,比如4GB DDR3 SO-DIMM,用在笔记本内的时候功耗只有3W,仅占笔记本总功耗的3%。当然在台式机、服务器、上网本和各种移动设备里,这种新工艺内存也都有广泛的用途。


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