三星开始量产40nm超低耗4GB DDR3内存颗粒

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    三星电子日前宣布其已经成为业内首家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GB DDR3内存芯片的企业。试用该芯片的内存条主要在满足容量扩展的同时可以实现加倍的降低功耗，从而实现绿色环保型经济。

    三星宣称，此种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，这样使得单条32GB内存条可以迅速普及，同时功耗相比于上一代产品降低35％，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。在能耗的优势上三星表示，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1GB DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换成40nm 2GB DDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm 4GB DDR3会进一步降至仅仅36W，也就是节能83％之多，相当于为每套服务器系统节约10％的功耗。