尔必达试产新工艺的DDR3内存颗粒

日本尔必达今天宣布，已经开始试验性出货业内第一款采用TSV硅穿孔(又称硅通孔)堆叠工艺制造的DDR3 SDRAM内存颗粒。TSV全称为Through Silicon Via，是一种新型三维堆叠封装技术，主要是将多颗芯片(或者晶圆)垂直堆叠在一起，然后在内部打孔、导通并填充金属，实现多层芯片之间的电连接。

相比于传统的引线连接多芯片封装方式，TSV能够大大减少半导体设计中的引线使用量，降低工艺复杂度，从而提升速度、降低功耗、缩小体积，也是IBM、Intel等行业巨头竞相追逐的新技术。

尔必达从2004年开始从事TSV技术的研发，并获得了日本政府发起的新能源与产业技术开发组织(NEDO)的资助。2009年，尔必达成功开发了业内第一款TSV DRAM芯片，使用八颗1Gb DDR3 SDRAM堆叠封装而来。

尔必达此番推出的样品是一种低功耗的8Gb DDR3 SDRAM内存颗粒，使用TSV技术将四颗2Gb DDR3 SDRAM封装在一块芯片内而来，1.5V电压下频率可达1600MHz，1.35V低电压下则是1066/1333MHz。

尔必达称，这种新型颗粒用在SO-DIMM笔记本内存条上，能够降低20%的读写功耗和50%的待机功耗，而且还非常环保。

对于一条2GB容量的笔记本内存来说，使用传统颗粒需要八颗芯片，换上TSV工艺的则仅需两颗，芯片所占空间会因此大幅减少70%，自然有利于打造更轻薄的笔记本、平板机产品。