三星吞并MRAM内存厂商Grandis

三星公司本周二宣称其收购了专门生产自旋转移力矩随机存取内存(STT-RAM)的知名厂商Grandis，不过三星并没有公开与此次收购有关的财务细节。

Grandis将被并入三星负责下一代存储技术开发的研发部门，该部门的主要任务是检视各种新半导体材料的特性，辨别其是否具有长期的商用价值。三星称Grandis除了能为三星贡献其存储技术有关的研发成果之外，还将成为公司全球研发网络中的重要组成部分之一。

Grandis公司始建于2002年，公司成立后主要研发与STT-RAM有关的存储技术。外界一致认为STT-RAM是一种融合了DRAM内存的成本优势，SRAM的高速读写性能优势，以及非易失性闪存三者优势与一身的存储技术。同时身为第二代磁电阻式存储技术(MRAM)的STT-RAM据称还可以弥补第一代MRAM的主要缺点。Grandis从多位风险投资者手中得到了总额1500万美元的研发赞助费用，这些投资者包括Applied Ventures，Sevin Rosen Funds, Matrix Partners, Incubic 以及 Concept Ventures等。

2010年6月，Grandis改变了其产品未来发展计划，将其STT-RAM产品的未来发展目标定位为取代传统DRAM内存，并最终取代NAND闪存。

通常认为STT-RAM是MRAM技术的第二代技术，这项技术解决了常规MRAM的一些问题。第一代MRAM的数据写入方式主要是向导线中通电使其周围产生磁场，从而改变邻近的存储单元的磁化程度。Grandis则认为，虽然这种方法的写入速度较快，但是其耗电量过大。

多年以来，无数MRAM及其它多种所谓的“下一代存储技术”的开发厂商曾多次在各种场合鼓吹称他们研发的技术将会取代其它各种现有的存储产品，实现存储市场“天下大一统”的目标，“你们信不信，反正我信”云云。然而这些说法目前看来均属空谈，而传统DRAM和NAND闪存的制程则仍在不断进步发展。