2011闪存市场分析与变化趋势

  • 来源: 集成电路应用 作者: 陈晨   2012-05-11/11:36
  • 2011下半年各闪存厂商开始导入1X纳米技术,并在第四季度量产,2012年市场产能将进一步扩大。预计SSD将在2012迈向成长期,下半年成本将达每单位GB 1美元水平,使其快速实现普及化。

    2011年智能手机依然是市场最热门消费产品,另一个焦点是平板电脑,两种消费产品主要以内嵌存储为主,内嵌容量较大,所以对NAND闪存产能消耗也比较大,一直未被关注的固态硬盘(SSD)在2011年年底需求开始升温,或将成为2012年杀手级NAND闪存应用产品。

    不过2011年闪存市场产品价格走势似乎不太理想,产品价格一直呈下跌走势,最大跌幅达48%。纵观2011年价格走势,市场需求在第一季度为淡季,价格成缓幅下跌走势,3月受到日本大地震的影响,由于担心市场供货会出现大的缺口而导致供货吃紧,因此在恐慌心理影响下,价格出现飙涨,涨幅达16%。日本地震确实震撼了存储产业链,上游原材料厂严重受创,东芝就曾通知下游客户其5、6月的NAND闪存芯片供给量将大幅减少50%。尽管如此,闪存价格在5月却是跌幅最大,达14.5%,其主要是受到手机需求疲软的影响。2011年8月上旬世界大学生运动会在深圳举行,使得当地“山寨”市场受到严厉调查,导致5月以来深圳多家手机设计公司暂停营业,整个山寨机供应链受到相当大的冲击,市场需求大幅降温。

    商机与危机并存,在2011年年底泰国的意外水灾让SSD成为焦点,NAND闪存价格的下跌让SSD需求开始升温,成为了2012年市场新的应用产品。SSD将是2012年各厂重点布局对象,并将为存储产业带来另一个春天。

    2011年闪存市场主要厂商动向

    目前NAND闪存上游厂商依然是四大阵营对垒,依次是三星、东芝/SanDisk、美光/英特尔、海力士。对于2011年存储市场,NAND闪存原厂都持乐观态度,在2011年里大手笔投资扩产,对于制程技术也是精益求精,纳米制程技术从年初刚进入的2X等级到2011年年底开始转进1X技术,2011是制程转进最快的一年。

    三星:在年初三星便表示2011年将执行大规模资本支出,资本支出规模约23兆韩元(约206.54亿美元),较2010年增加6.5%,大规模的支出旨在抓住智能手机和平板电脑快速发展的机遇。位于京畿道华城的16 NAND闪存生产线从2011年9月已经开始投入量产,初期生产规模约为每月2万片12英寸晶圆,未来计划将该生产线产能提升至每月20万片以上。此外,三星于2011年年底表示,公司还计划在中国设厂,从2013年开始生产NAND闪存芯片,投资规模高达40亿美元。

    2011年里三星主要是以27纳米制程为主,但制程转进速度也非常快,到年底便导入了1X纳米,该公司7月量产基于20纳米的32GB Micro SD,并将在2012年上半年开始1X纳米级NAND闪存量产,制造高容量64GB的Micro SD卡。

    东芝/SanDisk:东芝在2011年主要以24纳米制程为主,取代了32纳米制程技术。在年初美国消费电子展(CES)中展示了新一代24纳米NAND闪存制程技术,4月发布基于24纳米工艺的“SmartNAND”系列产品,并在第二季度量产。不久之后又推出了采用19纳米制程技术的64Gb 2bps(X2)NAND闪存,2011年下半年进入量产阶段。

    东芝与SanDisk合资的12英寸Fab5厂于2011年8月开始出货,预计产能将可以提升到20万片,同时在2012年采用更先进的19纳米制程。

    美光/英特尔:美光在2011年主要以25纳米制程为主,年初便以25纳米NAND闪存技术推出“RealSSD C400”固态硬盘,并迅速量产。与此同时,20纳米制程8GB NAND闪存开始送样,并在下半年进入量产期。此外2011年12月投产20纳米制程技术的16GB容量的NAND Flash芯片样品,最高容量可提升到128GB。

    美光与英特尔共同投资新加坡12英寸晶圆厂,以25纳米制程切入生产,取代34纳米,早期预估月产能约10万片。

    海力士:相对于其他NAND闪存原厂而言,海力士的制程相对落后,2011年主要制程为26纳米技术,取代32纳米制程。该公司在年初也曾表示将在2011年投资3.4兆韩元(约30.3亿美元)进行厂房以及设备升级,金额约与2010年相近,在忠清北道清州厂增建NAND闪存专用厂M11,大部分为26纳米制程设备,为了强化NAND闪存竞争力,海力士在2011年下半年也开始投入量产20纳米制程NAND闪存。

    海力士在“2011 Symposium on VLSI Technology”上发表了20纳米工艺的64Gbit MLC NAND闪存,并称这是业内首次以20纳米工艺实现大容量多值NAND闪存,然而未有更多的消息传出。

    市场变化趋势

    随着智能手机的崛起,轻薄型电子产品成为市场发展趋势,为了令产品具薄型化设计优势,笔记本电脑开始舍弃光驱。这样的设计虽可让产品显得更薄,但传统硬盘仍然限制了体积的进一步缩小,因此必须采用更趋薄化的硬盘设计或是直接换用SSD解决方案,以达到产品更为轻薄的目的。

    苹果iPad带来的超薄型风潮,使得平板电脑成为了2011年新的亮点。市场具有代表性的MacBook Air、超极本(Ultrabook)将引领轻薄型电脑的市场热潮,显然,这些产品对SSD的采用将是必然的。

    据估计,2011年超极本的出货占比还不高,仅个位数约2.4%左右,而2012年出货量可能提升到2,500万台,将市占率拉升至10.4%;到了2013年,预计出货量可能达到4,300万台左右。超极本初期会先采用HDD或者是HDD加上SSD的模式,这也是过渡性的产品,未来一定会走向纯SSD。在SSD容量配备上,现在内建的SSD容量也不用256GB等高容量,可以从小容量32GB或64GB开始,降低产品成本刺激消费需求,等SSD每GB成本能降到1美元以内再提升SSD容量。

    另外随着人们需求的提升,产品存储容量也开始提高。从闪存市场报价可以看出,Micro SD从2011年下半年开始高容量产品价格一直呈直线下滑,以4GB和8GB容量产品价格为例,Micro SD 4GB上半年由年初的27.2元下跌至23.5元人民币,下跌幅度大约在13.6%,下跌幅度一般;2011年下半年则由23.5元下跌至17.5元人民币,下跌幅度大约25.5%,下半年下跌幅度大约是上半年的2倍;全年下跌幅度达35.6%,8GB价格全年下滑53.6%。高容量产品价格在2011年下跌幅度较深,使得市场对于容量热忱度开始由原来的1GB、2GB需求转向4GB、8GB,市场上产品配备的存储器也开始转向高容量。

    对于内嵌式存储器,最新的市场产品应用便是eMMC。高端智能手机使用eMMC的容量至少在8GB以上,16GB、32GB也成为一般智能手机主流配备标准。轻薄型电脑内嵌存储的SSD容量初期从32GB起,以刺激市场需求,等NAND闪存价格进一步下跌,其容量配备将达256GB或512GB甚至更高。高容量需求在NAND闪存价格下跌的推动下将成为标准配置,使高标配形式逐渐普及化。

    本文原文刊载于《集成电路应用》杂志2012年第3期 


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