全新三大核心技术三星840引领SSD发展

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一直以来，固态硬盘产品都是高性能个人PC的首选存储配件。一方面，这是固态硬盘产品本身的产品特质决定的，另一方面，这种态势和发展也是消费者目前情况下，对PC性能需求的一种迫切反映。

固态硬盘产品，其组成部件与存储技术原理构成与机械硬盘大相径庭。虽然也沿袭了"硬盘"的叫法，但是基本构成是以控制单元与存储单元(FLASH芯片)为主要部件组成的，没有任何的机械旋转部件，整体产品部件可做到较小，适合于高海拔，频繁震动以及小体积整机产品的使用，因此这种架构也是前文所述的消费者全新需求的上佳选择。

诚然，尽管固态硬盘的组成并没有机械硬盘那般复杂，但是在技术运用上并不是无脑化，山寨化的产品。PC或者服务器上的存储配件，是组成整套系统的重要配件，其不仅需要提供长效稳定可靠的存储支持，而且还要担负大负荷，高密度的读取和写入操作。一款具有全面表现的固态硬盘产品，需要厂商在半导体存储行业拥有深厚，扎实的技术储备，尤其是固态硬盘固件的编写，NAND芯片的技术开发，可谓是环环相扣，缺一不可。

作为全球第一的DRAM，NAND以及SSD供应商，三星是目前业内唯一一家自行设计与制造SSD核心部件的、NAND闪存、SSD主控的厂商。自1974年开始芯片制造以来，积累了数十年的新品开发技术，更是一直引领半导体存储行业的发展，而在新型存储设备SSD的开发，生产方面，其整体技术实力也处于世界领先地位。

不久前，三星840系列产品以存储性能革新者的姿态于韩国全球存储峰会上正式发布。外观上一改830的金属拉丝质感，以极纯磨砂黑金属外壳搭配橘红色标志精心打造，SSD四周辅以炫钢切边，做工上乘，坚固耐用，堪称精致之品，而产品性能上更是以多项领先技术著称。接下来，就让我们一起看看三星840系列的三大核心技术。

全新ToggleDDR22.0NAND闪存

作为组成三星840固态硬盘的存储单元，NAND闪存芯片本身的体质表现是固态硬盘读取/写入速度的基础，三星840SSD产品采用全新ToggleDDR22.0NAND闪存，该闪存采用21nm制程，拥有高达400Mbps传输速率，同时由于产品技术的进步，该种闪存可确保840系列固态硬盘产品随机读取/写入性能的大幅度提升。

全新三核ARMCortex-R4MDX主控

提供稳定高效的主控一直是三星固态硬盘矢志不渝的信念，而全新的MDX主控更是三星固态硬盘引以为傲的技术之一。该主控作为三星第四代存储控制单元，拥有多项创新技术，其内建三核心高效ARM架构Cortex-R4核心，工作频率达到了300MHz，具有完备的多数据处理，高强度容错能力，同时还拥有极低的功耗表现，可为消费者在进行存储数据操作时提供超长时间的稳定和高速工作。

另外，MDX主控还支持256位AES硬件加密技术，搭配三星840WWN(全球唯一名称)和服务器LED报错显示技术，对数据存储安全高度敏感的企业级用户来说，在提供大数据量下的高速传输读取数据服务的同时，数据安全保护稳定依旧，与远程数据容灾存储设备配合，可确保数据可靠如新。

全新LPDDR2512MB高速缓存

三星存储依托多年的技术积累，对近来大量增加的移动设备用户需求有着独到的理解。这部分用户对待移动设备的电量续航时间与设备的性能表现的态度是一致的。

因此，三星840系列固态硬盘在提供板载缓存频率的同时，进一步采用了全新LPDDR2高速缓存,此种技术在I/O接口和内部电压方面有了本质的革新，可支持更低的工作电压和更少的控制器引脚数，拥有完备的节能技术,三星840SSD拥有0.046W的待机功耗，最大程度的为用户的移动设备增加可观的续航时间。