三星电子大规模量产业界首款256Gb 3D V-NAND闪存

  • 来源: 驱动中国 2015-08-11/10:40 访问量:
  • 2015年8月11日,韩国首尔讯—— 全球存储领军品牌三星电子今日宣布 ,已开始正式量产业界首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。

    三星电子存储芯片事业部全永铉总裁指出:“我们面向全球市场推出第三代三维V-NAND闪存, 以更好性能、更节能和更高生产效率的最先进存储器解决方案,来加速SSD市场向高性能、高密度化方向发展。”“通过充分利用三星电子在V-NAND闪存方面的独特优势,我们将在企业、数据中心市场及消费市场扩展高端业务,持续加强大众对我们SSD产品线的关注。”

    与容量为128Gb的传统NAND相比,三星电子此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32Gigabytes(256Gb)之外,新的芯片还能轻松地翻倍提升三星电子现有SSD的存储容量,为TB级SSD提供理想的解决方案。

    在2014年8月推出第二代32层3bit MLC V-NAND闪存之后,三星电子在本月随即发布第三代 48层3bit MLC V-NAND闪充闪存芯片 ,并将持续引领3D存储时代。

    在新一代V-NAND闪存中,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共能存储2,560亿位的数据,换句话说,就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。

    与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比,当存储相同容量的数据时,一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30%。在量产阶段,相对于之前推出的32层3D V-NAND闪存而言,新型芯片可将生产效率提升约40%, 在继续使用现有设备的同时,大大提升了SSD市场的成本竞争力。

    在2015年接下来的时间内,三星电子计划继续生产第三代 V-NAND闪存,以加速推广TB级SSD的市场普及率。目前三星电子正在计划面向消费者推出2TB级甚至更高容量、更高密度的SSD,还将计划采用业界领先的 PCIe(NVMe)接口和SAS接口的产品来提升面向企业级用户和数据中心存储市场的高密度SSD的市场销量。


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